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Si3853DV
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 4.5 V thru 4 V
8
8
6
4
2
0
3.5 V
3 V
2.5 V
2 V
1.5 V
6
4
2
0
T C = - 55 °C
25 °C
125 °C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.6
0.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
450
360
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.4
270
0.3
V GS = 3.6 V
1 8 0
0.2
0.1
V GS = 4.5 V
90
C oss
C rss
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
4.5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3.6
V DS = 10 V
I D = 1. 8 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 1. 8 A
1.4
2.7
1. 8
1.2
1.0
0. 8
0.9
0.6
0
0.4
0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70979
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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